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8800 ICP-MS/MS测定超纯半导体级硫酸中的难分析元素

发布时间:2018/12/22   点击次数:119
 
提 供 商: 上海斯迈欧分析仪器有限公司 资料大小:
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近年来碰撞/反应池技术 (CRC) 广泛应用于四极杆 ICP-MS (ICP-QMS),以消除 会对复杂基质中的分析物造成质谱干扰的多原子离子。利用 CRC,可以使半导 体级化学品中几乎所有待测元素的背景等效浓度 (BEC) 降低至 ppt 或亚 ppt 水平。 但是,某些样品基质中的一些多原子物质非常稳定,或者原始浓度较高,可能无 法通过池技术完全消除,因而仍会导致残留质谱干扰问题。

 

例如,硫基质会导致 ICP 中 SO+ 和 SN+ 的浓度比较高,这两种离子都会干扰钛的测定。多原子物质 SO 和 SN 的电离能 (IP) 分别是 10.2 eV 和 8.9 eV,因此它们在 ICP 中比 S (IP 10.36 eV) 更容易电离

 
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