资料下载您的位置:网站首页 >资料下载>利用 ICP-MS 对太阳能(光伏)级硅块进行超痕量分析

利用 ICP-MS 对太阳能(光伏)级硅块进行超痕量分析

发布时间:2019/12/5   点击次数:173
 
提 供 商: 上海斯迈欧分析仪器有限公司 资料大小:
图片类型: 下载次数: 43
资料类型: PDF 浏览次数: 173
 

本文介绍了一种使用 Agilent 7500cs ICP-MS 测定光伏级硅中存在的超痕量 元素杂质的新型定量方法。硼(挥发性元素)和磷(受 Si 基干扰)对该行 业尤其重要;因此,为了利用 ICP-MS 分析这些元素,应特别注意样品预处 理阶段。在验证样品前处理策略的过程中,所有元素均获得了良好的回收 率。提供了 13 种不同 Si 样品中存在的一系列元素的示例数据,以及检测限 列表。可以测定固体中低至 ppb 级的 B 和 P,并可以测量 ppt 级所研究的其 他元素。

 

有关替代能源的研究正在不断加速推进,其中发展的领域之一是太阳能器件的开发。根据“宏伟太阳能计 划”,到 2050 年,美国总电量中的 69% 将来源于太阳 能(《科学美国人》(Scientific American),2008 年 1 月)。对太阳能器件的需求不断增长,迫切需要高效 能量转换器(主要含硅)。太阳能(或光伏)级硅的杂 质(特别是硼和磷)控制对成品器件的效率至关重要。 过去,利用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP-OES) 对磷 进行分析,为获得更低的检测限 (DL),需要采用更灵敏 的方法。本研究介绍了样品前处理以及使用 Agilent 7500cs 电感耦合等离子体质谱仪 (ICP-MS) 对硅块(用 于制造太阳能硅器件)中 31 种分析物的分析。

 
文件下载    

在线咨询
在线客服
咨询热线

18602175640

[关闭]